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      通用適配器來了氮化鎵技術做后盾景盛有最好的適配器五金件
      編輯:深圳市景盛五金科技有限公司   時間:2017-06-06

      通用適配器來了氮化鎵技術做后盾景盛有最好的適配器五金件

       

      在過去的半個世紀,硅一直是現代電子工業的基礎,原因很顯然:到現在為止,硅是大規模應用于最新消費、商業和工業技術最完美的半導體材料。但是現在,面對一種可提供比舊行業標準更高的速度、更強的功率處理能力和更小的尺寸的新型半導體材料,硅的局限性受到了挑戰。

       

      這種顛覆性材料就是氮化鎵(GaN),自上世紀90年代以來主要用于LED和RF器件的化合物。盡管GaN并不是剛剛發現或新奇的材料,但是GaN剛剛進入下一代電子設備的功率半導體應用,創造了速度和轉換效率的新高度。

      Dialog與臺積電(TSMC)合作,推出市場上首個高電壓GaN功率IC +控制器組合。該功率產品組合(以SmartGaNTM產品系列為先鋒)將實現轉換效率可達94%的快速充電技術。

      我們的新PMIC DA8801與Dialog具有專利的數字式 Rapid Charge?電源轉換控制器結合使用,可以實現比目前的硅場效應晶體管(FET)設計更高效、更小、功率密度更高的適配器。事實上,DA8801可以使硅PMIC的功率損耗和尺寸幾乎減半,進而使該技術的成本減半。

      我們計劃首先將這種技術應用于PC和手持設備的快速充電適配器。目前在快速充電適配器市場上,憑借Rapid Charge?快速充電技術,Dialog的市場占有率已超過70%。GaN具有十分驚人的促使這類產品的功能、外觀和成本發生革命性變化的潛力:因為GaN技術可使功率電子器件的尺寸減小50%,一個典型的45W GaN驅動的適配器的尺寸可與傳統25W設計的尺寸一樣甚至更小。通過更緊湊的設計,適配器能變得更輕巧,有助于在不久的將來實現能為所有移動設備供電的通用適配器。

      GaN技術提供全球速度最快的晶體管,這些晶體管是高頻和超高效功率轉換的核心。Dialog的DA8801半橋將柵極驅動和電平轉換電路與650V功率開關相集成,可使功率損耗降低達50%。同樣重要的是,這些特性有助于無縫應用GaN技術,而無需設計復雜的外圍電路。

      這使GaN技術能夠順利地集成入其他產品。因此,DA8801集成式GaN半橋為提升各種技術的效率帶來了幾乎無窮的可能性,從助力更快速的物聯網(IoT)應用,到提升服務器和數據存儲操作的效率。到目前為止,硅材料對我們提供高效、敏捷的技術發揮了重要作用,而GaN將會在未來帶我們走的更遠。

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